Η Samsung είναι ένας σημαντικός κατασκευαστής τσιπ αποθήκευσης και σήμερα, η εταιρεία ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή των τελευταίων τσιπ NAND – QLC 9ης γενιάς V-NAND με αποθηκευτικό χώρο 1 Terabit (125 GB).
Τον Απρίλιο, η Samsung έγινε η πρώτη εταιρεία που παρήγαγε μαζικά το V-NAND 9ης γενιάς με τεχνολογία TLC (triple-level cell). Τώρα το αναβαθμίζουν σε μια λύση τετραπλής κυψέλης (QLC), επιτρέποντας την αποθήκευση 4 bit ανά κυψέλη και ως εκ τούτου ένα φυσικό τσιπ με μεγαλύτερη πυκνότητα αποθήκευσης.
Αυτό είχε ως αποτέλεσμα διπλάσια ταχύτητα εγγραφής δεδομένων και μειωμένη κατανάλωση ενέργειας για ανάγνωση και εγγραφή δεδομένων κατά 30% και 50%, αντίστοιχα.
Ένα από τα τεχνολογικά επιτεύγματα που επέτρεψαν να συμβεί το QLC V-NAND είναι το Channel Hole Etching. Η Samsung πέτυχε υψηλότερο αριθμό στρώσεων με δομή διπλής στοίβας, με την περιοχή των κυψελών και τα περιφερειακά κυκλώματα να βελτιστοποιούνται, βελτιώνοντας την πυκνότητα κατά 86% σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιά.
Η Samsung υιοθέτησε την τεχνολογία Designed Mold, η οποία επέτρεψε την ομοιομορφία και τη βελτιστοποίηση των χαρακτηριστικών της κυψέλης μεταξύ και εντός των στρωμάτων. Ως αποτέλεσμα, η απόδοση διατήρησης δεδομένων βελτιώθηκε κατά 20%, οδηγώντας σε βελτιωμένη αξιοπιστία του προϊόντος.
Υπάρχουν επίσης βελτιώσεις στην κατανάλωση ενέργειας κατά την ανάγνωση και εγγραφή δεδομένων και η νέα λύση διπλασίασε την απόδοση εγγραφής μέσω μιας τεχνολογίας που ελαχιστοποιεί τις περιττές ενέργειες στο τσιπ.
Τα τσιπ QLC V-NAND χρησιμοποιούνται γενικά σε SSD. Αυτή η λύση θα επεκταθεί αργότερα σε υπολογιστές, SSD διακομιστή για υπηρεσίες cloud και Universal Flash Storage, που χρησιμοποιείται κυρίως σε smartphone.
VIA: GsmArena.com
